环旭电子SiC芯片预埋封装技术破局

近期，环旭全球电子设计与制造服务领导厂商环旭电子（USI，芯片上交所：601231）宣布，预埋其在新世代功率解决方案领域取得关键技术突破——成功将碳化硅（SiC）晶粒预埋于多层ABF基板之中，封装并创新采用单面铜裸露（SSC）模块封装技术，技术首次在业界标准功率封装体中实现了陶瓷绝缘基板与无线键合工艺的破局集成。这项成果将于6月9日至11日在德国纽伦堡PCIM Europe 2026（Hall 4-158展位）正式亮相。环旭

此项技术的芯片核心难点在于，要在不扩大封装体积的预埋前提下，同时塞入三项原本相互排斥的封装工艺要素。

第一重：SiC晶粒预埋于多层ABF基板。技术传统方案中，破局功率芯片安装在基板表面，环旭键合线从芯片表面引出，芯片路径长、预埋寄生参数大。环旭电子反其道而行，将SiC晶粒直接埋入多层ABF（Ajinomoto Build-up Film）基板内部，大幅缩短电流路径，从结构层面压低杂散电感。

第二重：单面铜裸露（SSC）模块封装。SSC技术让铜端子直接裸露于封装单面，省去传统封装中复杂的双面焊接与绝缘隔离结构，在减薄封装厚度的同时，提升了电流承载能力与热传导效率。

第三重：陶瓷绝缘基板与无线键合工艺的引入。这是整项技术最具突破性的一环。环旭电子在标准功率封装体内整合了陶瓷绝缘基板，使封装本体自带电气绝缘能力，无需额外依赖外部绝缘材料。同时采用无线键合（Wireless Bonding）替代传统线键合，不仅改善了电流处理能力和热耗散，还让更薄的封装内容纳更大尺寸的芯片，进一步拉升功率密度。

三重工艺的协同效应，最终落在三个关键指标上。

低导通阻抗。预埋结构缩短了电流路径，SSC减少了接触电阻，整体导通阻抗显著低于传统方案，直接降低导通损耗。

低杂散电感。芯片预埋与无线键合共同作用，将寄生电感压至极低水平，这对于高频开关场景下的电压尖峰抑制至关重要。

高效散热与长期可靠性。无线键合架构改善了热耗散路径，陶瓷基板提供稳定绝缘，二者结合减少了热能累积，强化了模块在高温高负荷工况下的长期运行可靠性。

环旭电子新产品导入中心资深处长陈治宇指出："随着功率平台持续迈向高效率与高功率密度方向发展，先进封装技术在提升整体系统效能的重要性愈加凸显。环旭电子正推动新一代兼具轻薄化、高效率与高可靠性的功率封装方案，并积极拓展于电动车、AI数据中心和人形机器人等多元应用领域。"

技术突破之外，环旭电子同步展示了从设计到量产的一站式汽车动力系统服务能力，覆盖高密度400V/800V逆变器系统、智能电池断电单元（iBDU），以及整合车载充电机（OBC）与DCDC转换器的Xin1系统方案。结合先进工程、PCBA与系统组装能力，环旭电子为客户提供从产品开发到大规模量产的完整解决方案。

作为日月光投控（TWSE: 3711, NYSE: ASX）成员企业，环旭电子2025年营收达591.95亿元，在全球布局30余个生产服务据点。Power Semiconductors Weekly评论指出，USI正在超越传统EMS制造，向更高价值的功率模块集成和先进封装服务延伸——这与当前SiC功率器件在电动汽车、AI数据中心和工业电源中渗透率持续提升的产业趋势高度吻合。

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